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Mosfet——中低压Mosfet
型号 规格书 结构 产品极性
N/P
漏源电压
VDSS (V)
工作电流
ID (A)
耗散功率
Pd(W)
栅源电压
VGS (V)
阈值电压
Vth(V)
Min
阈值电压
Vth(V)
Typ
阈值电压
Vth(V)
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS10V
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS4.5V
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS2.5V
Max
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Typ
导通电阻
Rdson(mΩ)
@VGS1.8V
Max
输入电容
Ciss(pF)
Typ
输出电容
Coss(pF)
Typ
反向传输电容
Crss(pF)
Typ
栅极电荷
Qg(nC)
Typ
封装 产品状态 产品等级
YJD65G10A
Single N 100 65 96 ±20 1.3 1.8 2.5 7.5 8.6 9 11.5 2270 797 36 32 TO-252 Active Industrial

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